上海大革智慧科技有限公司全面啟動第三代半導體:碳化矽產業佈局

碳化矽 (SiC) 晶體材料相對於現在廣泛使用的矽 (Si), 具有10倍的電場強度,4倍的熱導率,4倍的禁帶寬度,2倍的飽和遷移速度等優勢,碳化矽作為下壹代半導體材料成為半導體行業關註的重點。

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